현대모비스가 자동차용 반도체 내재화 속도 향상을 위해 미국 실리콘밸리에 연구소를 설립한다.

 31일 모비스에 따르면 지난 2020년 현대오트론으로부터 반도체사업을 인수한 모비스는 직접 설계한 반도체 탑재 제어기를 통해 핵심부품 경쟁력이 향상되는 결과를 얻는 중이라고 설명했다. 올해 전동화와 전장, 램프 등 핵심부품용 반도체 연구개발과 신뢰성 검증을 마치고 양산을 시작하는 것은 물론 중장기 반도체 연구개발 전략에 따라 내년에는 실리콘 기반 고전력 반도체(Si-IGBT)를, 오는 28년과 29년에는 각각 차세대 배터리관리 IC와 실리콘카바이드 기반 전력반도체(SiC-MOSFET) 양산을 목표로 연구개발 역량을 집중하기로 했다. 

 이를 위해 현대모비스는 올해 글로벌 반도체 기업과 협업을 강화하고 해외 우수인재 확보를 위해 미국 실리콘밸리에 전문 연구 거점을 신설한다. 실리콘밸리 연구거점은 국내 연구소와 함께 투트랙으로 운영할 예정이다. 현지 사정에 맞춰 국내와 해외에 각각 특화된 반도체 설계기술을 개발한다. 이 회사 반도체사업담당 박철홍 전무는 "실리콘밸리 연구거점 신설을 통해 차량용 반도체 생태계를 확대 구축하고, 해외 주요 기업들과의 연구개발 협력 사례를 늘릴 예정"이라며 "전동화와 전장부품용 핵심반도체 독자 개발을 가속화하겠다"고 밝혔다.
 
 한편, 현대모비스는 지난해 4분기 북미 시스템반도체 스타트업인 엘리베이션 마이크로시스템즈(Elevation Microsystems)에 1,500만불의 투자를 단행하고 선행 반도체 기술 확보에 주력하고 있다. 앞서 지난해에는 스웨덴 국립 연구기관인 RISE(Research Institutes of Sweden)와 협업해 실리콘카바이드 기반 전력반도체 공동개발을 수행해 공정 부문에서 성과를 낸 것으로 알려졌다.

 자료제공 : 현대모비스